钛媒体12月12日消息，据国外媒体报道，三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。 三星2017年曾宣布，未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前，三星还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。 此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资，二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元。之前的108亿美元为一期投资。 二期项目预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。（来源：新浪科技）