SK海力士首席执行官11月4日表示，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，并计划在2028年至2030年期间推出HBM5芯片。另据报道，英伟达首席执行官黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应下一代高带宽内存芯片HBM4。
快报解读如下：
【科股一线拆解】SK海力士将于2025年初推出16层HBM3E，计划2028年-2030年期间推出HBM5芯片
（1）机构指出，英伟达B100和B200内存达到192GB，需使用8颗HBM3E；（2）伴随着本土晶圆产能扩张和国产替代的趋势下，国产半导体设备厂商也正迎接竞争和技术挑战
单篇付费 ¥8.80 可解锁全文
单篇解锁
科股宝VIP由钛媒体App与北京商报联合推出，相关数据及信息已获得北京商报授权。
风险提示：本产品内容仅供参考，不构成投资建议。投资有风险，入市需谨慎。
最新文章 
快报
