SK海力士首席执行官11月4日表示，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，并计划在2028年至2030年期间推出HBM5芯片。另据报道，英伟达首席执行官黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应下一代高带宽内存芯片HBM4。

HBM（高带宽存储)，是一种垂直堆叠的DRAM芯片，DRAM Die通过TSV连接，在带宽、功耗、封装体积等方面都具有明显的优势，适合高性能计算、高性能图形处理单元、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。

据德邦证券统计，主流GPU芯片HBM用量提升。英伟达A100芯片内存分40GB和80GB两个版本，分别采用5颗HBM2或HBM2E;H100PCIe版本内存80GB，使用5颗HBM2E;H200内存141GB，使用6颗HBM3E;最新发布的B100和B200内存达到192GB，使用8颗HBM3E。

主流AI芯片相关HBM性能和用量，图表来源：德邦证券

西部证券认为，HBM相关封装原材料Low α球硅及球铝(满足低反射和高散热要求)得益于自身散热优势有望提高填充比例，需求或也将扩容。

广发证券指出，伴随着本土晶圆产能扩张和国产替代的趋势下，国产半导体设备厂商也正迎接竞争和技术挑战。

风险提示：技术研发不及预期；算力需求增长不及预期；全球贸易环境波动。