2024T-EDGE文章详情顶部

底部信号显现,存储芯片国产替代迎来加速期

深度
跌幅缩窄,国产替代加速。

2022年受消费电子市场需求疲软影响,芯片行业整体处于下行周期,2022年末芯片指数较年初下降27.16%,其中存储芯片受到的影响最大,2022年末板块指数较年初下降32.25%。

2023年初以来在AI算力预期需求刺激以及国产替代加速背景下,叠加国际大厂相继宣布大幅下调资本支出对市场释放出供给扩张减缓信号,板块迎来反弹,存储板块指数从年初至今上涨48.1%,对于存储行业目前所处现状以及产业链上相关公司,本文来分析一下。

资料来源:wind,钛媒体产业研究部

DRAM市场占比高,主要被海外厂商垄断

存储芯片是以半导体电路作为存储介质,通过对电子或电荷充放电标记不同的存储状态实现数据存储,根据断电后存储的信息是否保留,存储芯片分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。

易失性存储芯片在断电后存储数据会消失,包括静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM);非易失性存储芯片在断电后存储数据仍会保留,包括快闪存储器(Flash Memory)和只读存储器(ROM)。

其中Flash Memory又分为NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash可以在其上面直接运行代码,读写速度更快,但容量较小,NAND Flash写入和擦除速度更快,容量较大。

常用的存储芯片主要包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash,按出货量来看,DRAM市场份额最高,根据IC Insights数据,2021年DRAM出货量市场占比达到43%,NAND Flash和NOR Flash出货量市场占比分别为30%和9%。

目前存储芯片主要被国外厂商垄断,国产化率较低,其中DRAM市场目前主要被海外厂商三星、海力士和美光三家垄断,2021年全球市场份额分别为43%、28%和23%,CR3达到94%,集中度最高。

NAND Flash被三星、铠侠、海力士以及美光等六家厂商垄断,CR6为93%,其中三星2021年市场份额占34%,排名第一;NOR Flash被旺宏和华邦垄断,2021年两家全球市场份额之和为52%,兆易创新以18%的市占率排名第三。

行业仍处下行周期,头部厂商存货见顶

通常在下游市场需求增加时,存储芯片行业相关厂商会扩大生产,但由于产线建设导致产能释放需要一段时间,导致供需产生错配,叠加库存因素影响,使存储芯片行业具有明显的周期性。

根据RAM和CPU的时钟频率是否同步,DRAM分为同步DRAM(SDRAM)和异步DRAM,SDRAM已由DDR迭代到目前的DDR5,代数越高,芯片性能越强,目前DDR4为DRAM市场主流,2021年市场份额占比90%,DDR3及以下产品占比10%,国内厂商兆易创新和北京君正也已实现DDR4产品量产销售。

从存储芯片价格历史走势来看,2013年之后的两次下行周期在1.5-2年之间,本次DRAM价格从2022年2月下旬开启下行周期,目前价格跌幅已超过50%,其中DDR4 8G产品最高跌幅已达到64.03%,从目前DRAM价格走势来看,仍保持下降趋势。

资料来源:wind,钛媒体产业研究部

虽然行业仍未触底,但目前已有跌幅缩窄迹象,一方面DRAM产品目前现货价格已接近周期底部,另一方面头部厂商存货已见顶,根据3月29日美光公布的2023年公司二季度财报,公司二季度末存货为81.29亿美元,较一季度末的83.59亿美元有所下降,同时也是自公司2021年底以来存货首次下降。

此外,各存储龙头厂商也纷纷减少了2023年资本支出,同时降低产能利用率来减少存储芯片供给,海力士和美光2023年资本支出分别减少50%和40%,同时将会降低产品投片量;西部数据宣布减少2023年资本支出,并削减30%的产能;三星也宣布将降低存储芯片的产量。

龙头股价指标性强,国产替代进入加速期

DXI指数为集邦咨询2013年创建的指数,用来反映主流DRAM价格变化趋势,目前DXI指数已由2022年3月下旬41711.95点的高点下降至目前的22034.64点,下降幅度达到41.17%。

作为存储龙头,三星、海力士以及美光股价走势存在一定相关性,其中由于海力士主营业务集中在存储芯片上,用海力士股价走势与DXI指数变化观察两者之间变化关系。

通过两者走势可观察到海力士股价与DXI指数之间具有明显关联性,且海力士股价走势变化较DXI指数早2-6个月左右,目前海力士股价较之前低点有所反弹,后续可通过重点跟踪公司股价走势来观察DXI指数变化趋势。

资料来源:wind,钛媒体产业研究部

3月31日,网络安全审查办公室发布公告,为保障关键信息基础设施供应链安全,对美光在华销售产品实施网络安全审查,显示对供应链自主可控高度重视,后期若美光在华销售受阻,将加快存储芯片的国产替代进度。

作为全球DRAM第二大市场和NAND第一大市场,国内存储芯片需求量巨大,加上政策支持,国产厂商迎来快速发展,存储产业链包括上游设备、材料,中游芯片制造环节以及下游消费电子等应用领域。

上游设备厂商包括北方华创中微公司拓荆科技芯源微等,作为国内半导体设备龙头,北方华创设备覆盖广,产品包括刻蚀、沉积及清洗等设备。

材料厂商包括江化微TCL中环阿石创南大光电江丰电子鼎龙股份沪硅产业等。

设计厂商包括兆易创新、北京君正、普冉股份东芯股份和澜起科技等,其中北京君正为国内存储设计龙头,公司DDR4产品已量产销售,8G LPDDR4于 2022年4季度送样,兆易创新作为国内存储和MCU龙头,2021年已量产DDR4产品。

制造厂商包括长鑫存储、长江存储,长鑫存储为国内DRAM龙头,目前已可生产DDR4和LPDDR4产品,并将在2023年第二季度试产17nm的DDR5产品;长江存储作为国内NAND龙头,同时也是全球首发并实现量产232层3D NAND产品的厂商。

资料来源:公司公告,钛媒体产业研究部

(本文首发钛媒体App,作者|钛媒体产业研究部。想获得更多科股深度分析,可订阅科股宝VIP栏目。)

单篇付费 ¥19.90 可解锁全文
解锁全文
科股宝VIP由钛媒体App与北京商报联合推出,相关数据及信息已获得北京商报授权。 风险提示:本产品内容仅供参考,不构成投资建议。投资有风险,入市需谨慎。
科股投研

敬原创,有钛度,得赞赏

赞赏支持

AWARDS-文章详情右上

扫描下载App